學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)
北京科技大學(xué)鄭新和教授來校講學(xué)
啟航網(wǎng)訊 11月9日上午,應(yīng)學(xué)校邀請,北京科技大學(xué)鄭新和教授在F315室作了題為“高品質(zhì)半導(dǎo)體III族氮化物薄膜的原子層沉積與應(yīng)用”的學(xué)術(shù)報(bào)告。報(bào)告會(huì)由副校長何興道教授主持,測試與光電工程學(xué)院師生參加了此次報(bào)告會(huì)。
鄭新和教授首先介紹了以氮化鎵(GaN)為代表的III族氮化物半導(dǎo)體及其低維結(jié)構(gòu)的國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,以及在電子封裝工程中的應(yīng)用;其次,報(bào)告詳細(xì)介紹了具有低溫生長、覆膜性好以及厚度可以嚴(yán)格控制的原子層沉積(ALD)技術(shù),及其用于III族氮化物的外延生長;最后,報(bào)告重點(diǎn)介紹了在硅(Si)、石墨烯/Si、二硫化鉬(MoS2)/Si、導(dǎo)電玻璃、藍(lán)寶石等襯底或模板上開展III族氮化物(包括AlN、GaN、InN)的等離子體原子沉積(PEALD)的系統(tǒng)研究和應(yīng)用。
鄭新和教授的報(bào)告深入淺出,講解思路清晰,內(nèi)容豐富,引起了在座師生的極大興趣。講座結(jié)束后,鄭教授與現(xiàn)場師生進(jìn)行了互動(dòng)討論,氣氛十分熱烈,大家紛紛針對(duì)報(bào)告內(nèi)容和自己科研過程中遇到的問題向鄭教授請教,鄭教授都作了詳細(xì)的解答,讓大家受益匪淺,贏得了在場師生的一致贊譽(yù)和熱烈掌聲。
最后,副校長何興道教授對(duì)報(bào)告會(huì)進(jìn)行了總結(jié)發(fā)言,對(duì)鄭教授所作的精彩報(bào)告表示感謝,希望在以后常來我校開展學(xué)術(shù)交流指導(dǎo),提升我校師生的科研能力。