報(bào)告題目：高品質(zhì)半導(dǎo)體III族氮化物薄膜的原子層沉積與應(yīng)用

報(bào)告人：北京科技大學(xué)   鄭新和教授

報(bào)告時(shí)間：2020年11月9日周一上午10:00

地點(diǎn)：F315會議室

專家簡介：

　　鄭新和教授長期從事氮化鎵（GaN）基半導(dǎo)體薄膜生長、物性分析和光電器件（發(fā)光二極管和太陽能電池）方面的研究。先后主持參與科技部、國家自然科學(xué)基金、北京市自然科學(xué)基金、國防項(xiàng)目、蘇州市國際合作、與日本索尼公司國際合作、與臺灣工業(yè)研究院合作、橫向項(xiàng)目以及人才引進(jìn)項(xiàng)目等近20項(xiàng)。已在Small、APL等發(fā)表文章90余篇，累計(jì)被SCI引用1000多次，部分成果持續(xù)被引用已近20年；已授權(quán)發(fā)明專利近10項(xiàng)，包括2項(xiàng)PCT國際專利。GaN馬賽克扭轉(zhuǎn)角測量方法受到英國劍橋大學(xué)在物理類綜合期刊Rep. Prog. Phys.上的多次評價(jià)；GaN薄膜晶格常數(shù)測量方法被實(shí)際應(yīng)用到研究工作并寫入科學(xué)出版社專著章節(jié)；InGaN/GaN異質(zhì)結(jié)太陽能電池受到2014年諾貝爾物理學(xué)獎獲得者S.Nakamura教授研究組的多次引用；低溫預(yù)熱和氮等離子體預(yù)處理實(shí)現(xiàn)的半導(dǎo)體單晶GaN薄膜的原子層沉積受到了國際著名半導(dǎo)體行業(yè)雜志Semiconductor Today的專題報(bào)道。現(xiàn)擔(dān)任中國電工技術(shù)學(xué)會半導(dǎo)體光源系統(tǒng)專業(yè)委員會委員、Condensed Matter Physics Report期刊編輯等。曾獲得北科大連續(xù)兩年“我愛我?guī)?/span>-我心目中最優(yōu)秀老師”、北科大優(yōu)秀博士學(xué)位論文指導(dǎo)教師，北科大優(yōu)秀共產(chǎn)黨員、英國物理協(xié)會年度最佳審稿人獎、中國科學(xué)院優(yōu)秀共產(chǎn)黨員、江蘇省科學(xué)技術(shù)三等獎等。